一家美国创业公司开发出一种更紧凑更快的内存芯片，向 DRAM 和 Flash 芯片发起了挑战。
新的内存芯片被称为交叉内存（crossbar memory），由 Crossbar 研发，该公司联合创始人兼首席科学家是密歇根大学教授 Wei Lu。演示用交叉内存芯片正在台积电制造，一块 200 平方毫米大小的芯片能储存 1TB 数据，相比之下，一块类似大小的 flash 内存芯片只能储存 16GB 数据。
所谓交叉内存是指出两层均匀分布棒状的电极上下叠加在一起，上层和下层呈直角，形成一个网格。数据比特就储存在交叉点。在 Crossbar 的芯片中，上层电极由银构成，下层由非金属导体构成，用非晶硅在交叉点储存数据。Crossbar 获得了 2500 万美元的投资商业化 Lu 的研究。
